2SD2335 мощный NPN транзистор, 1500V 7A Matsushita

Достаточно мощный транзистор структуры N-P-N 2SD2335 для применения в высоковольтных устройствах для бытовых и производственных нужд. 

Основные параметры транзистора 2SD2335:

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
  
• Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
  
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
  
• Корпус транзистора: TO3PFA

Datasheet предоставляется по запрошу бесплатно.

Пинцет, паяльник