IGBT транзистор GT30J124, 600V 200A (pulse)

• Наименование: GT30J124
• Тип транзистора: IGBT
  
• Тип управляющего канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 26
  
• Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
  
• Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200(pulse)
  
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.4
  
• Тип корпуса: TO220SIS

A23AF, A27AF, LR1