MOSFET транзистор 2SK2850, 900V 6A, N тип

Полупроводниковый прибор: 2SK2850

• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 50 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 140 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
  
• Тип корпуса: TO-3PN

Возможные аналоги прибора 2SK2850: 

FDA28N50F, STW7NK90Z, STW9NK90Z

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

18650, 40Вт, 25Вт, 60Вт