Транзистор 60N06 MOSFET N-канал 60V 60A

Параметры:

• Наименование прибора: 60N06
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 11 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 400 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
  
• Тип корпуса: TO252, D-PAK
  

Возможные аналоги: NTB60N06T4G, NTB60N06, NTB60N06T4, IRFZ48S, STB55NF06T4

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

STMicroelectronics