0.00 BYN
Оформить заказОсновные параметры транзистора BUT12AF:
- Наименование производителя: BUT12AF
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
- Корпус транзистора: SOT186
Возможные аналоги для BUT12AF: BUL510, ON4959, BUT18AF
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.