0.00 BYN
Оформить заказ- Наименование: FGH40N60SFDTU
- Тип транзистора: IGBT
- Тип управляющего канала: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
- Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
- Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
- Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
- Время нарастания типовое (tr), nS: 35
- Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 190
- Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 121
- Тип корпуса: TO247
Возможные аналоги транзистора FGH40N60SFDTU:
STGW40NC60V, STGW39NC60VD
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.