0.00 BYN
Оформить заказ- Наименование: GT35J321
- Тип транзистора: IGBT
- Тип управляющего канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 75
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
- Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 37
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
- Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
- Тип корпуса: 2-16F1A
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.