Транзистор GT50N322A, 1000V 50A

• Наименование: GT50N322A
• Тип транзистора: IGBT
  
• Маркировка: 50N322A
  
• Тип управляющего канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 156
  
• Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1000
  
• Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
  
• Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
  
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.2
  
• Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
  
• Время нарастания типовое (tr), nS: 230
  
• Тип корпуса: 2-16C1C

Возможные аналоги транзистора IRG4PH50UD:  IRG4PCS71KD

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Glacialtech, Медная термопрокладка