Транзистор IRF640 200V 18A MOSFET N-канал

Полевой транзистор с N-каналом IRF640 в корпусе TO-220

Параметры:

• Наименование прибора: IRF640
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
  
• Время нарастания (tr): 60(max) ns
  
• Выходная емкость (Cd): 750(max) pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
  
• Тип корпуса: TO220AB
  

Возможные аналоги транзистора IRF640:

2SK2136, 2SK2521-01, 2SK3111, BUZ30A, BUZ31, D84EN2, FQA19N20C, FQP19N20C, PHP18NQ20T, STP19NB20, КП640, КП750А, YTA640, 2SK2378, 2SK2382, 2SK2560, 2SK3110, IRFS640B

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Zhanlida