Транзистор IRF650 200V 28A MOSFET N-канал

Параметры:

• Наименование прибора: IRF650
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 156 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 95 nC
  
• Время нарастания (tr): 20 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 410 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
  
• Тип корпуса: TO220
  

Возможные аналоги транзистора IRF650:

IRF620, STP4N20

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

International Rectifier