Транзистор IRFP40N10 100V 40A MOSFET N-канал

Параметры:

• Наименование прибора: 40N10
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 30 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 2500 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
  
• Тип корпуса: TO-220C
  

Возможные аналоги транзистора 4N10: STW50N10, BUZ344, IRF1310N

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Мультиметр цифровой