Транзистор КТ815Г, 100В 3А NPN

Транзистор КТ815Г технические характеристики:

• Наименование производителя: KT815Г
• Маркировка: КТ815Г
  
• Тип материала: Si
  
• Полярность: NPN
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
  
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
  
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
  

Возможные аналоги транзистора КТ815Г: BD13910STU, BD139-10, TIP29C, TIP61C, BDC01D, КТ8272В, КТ961А

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Измерительные приборы