0.00 BYN
Оформить заказ- Наименование производителя: KT817Г
- Маркировка: КТ817Г
- Тип материала: Si
- Полярность: NPN
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
- Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Возможные аналоги транзистора КТ817Г:
2N5192, BD179, BD220, BD222, BD239B, BD441, BD619, BD937, TIP31C, 2N5192, 2N6123, 2SC1827, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SС1826, BD237
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.