0.00 BYN
Оформить заказМаломощный транзистор NPN структуры BLT50, используется в электронике в миниатюрных блоках.
Краткие справочные данные BLT50:
- Полярность: NPN
- Тип материала: Si
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
- Корпус транзистора: SOT223
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.