0.00 BYN
Оформить заказМощный полевой транзистор типа N. Краткие характеристики.
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 74 nC
- Время нарастания (tr): 53 ns
- Выходная емкость (Cd): 1480 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0041 Ohm
- Тип корпуса: TO220
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.