Транзистор SP8M3 MOSFET N/P канал 30V 5A

Характеристики:

• Наименование прибора: SP8M3
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: NP
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 3.9 nC
  
• Время нарастания (tr): 8 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 80 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.051 Ohm
  
• Тип корпуса: SOP8
  

Возможные аналоги: SP8M3TB, SP8M3FU6TB, IRF7319, AF4502C, По некоторым данным могут быть заменителями или аналогами: AO4600, AO4606, KDS4559, FDS8958, IRF7319, IRF7343, IRF7389, IRF7309, Nikos P2103NV, AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D 4808B, MOS AO4406 4825 4336 4413 4835B 4835D

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

AUK, DC-DC, штекер