Транзистор T6N60E TO252 (D-PAK)

Полевой транзистор с N-каналом T6N60E в корпусе TO-252 (D-PAK)

Параметры:

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 70 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 95 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1 Ohm
  
• Тип корпуса: TO-252 (D-PAK)
  

Возможные аналоги транзистора 6N60E:

IRFBC30A

IRFBC30AS

IRFBC40A

IRFBC40AS

IRFIBC30

IRFIBC30G

IRFPC60LC

MTB6N60E

MTB6N60E

MTP6N60E

MTP6N60E

MTW6N60E

PHB6N60E

PHP6N60E

PHP6N60E

PHW16N60E

PHX6N60E

PHX6N60E

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

ШИМ-контроллер