2SK2025 транзистор N канал, 600V 4A MOSFET

• Наименование прибора: 2SK2025
  
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 15 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 85 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.4 Ohm
  
• Тип корпуса: TO220

Возможные аналоги полевика 2SK2025: IRFBC30, STP4NK60Z

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

4/5SC, SC, NIHM, LI-ION