Транзистор IRF7341 55V 4.7A N-канал SOIC-8

Характеристики:

• Наименование прибора: IRF7341
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.7 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
  
• Время нарастания (tr): 3.2 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 190 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
  
• Тип корпуса: SO8

Возможные аналоги транзистора IRF7341: MMDF3N06HD, Si4946EY, STS4DNF60L

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Lukey, 852D