Биполярный транзистор 2Т812А, NPN 700V 10A

2Т812А - мощный кремниевый транзистор с N-P-N структурой. Применение прибора универсальное, применяется в устройствах с повышенным потреблением тока.

Основные характеристики 2Т812А:

• Структура N-P-N
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база: 700 В
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер: 700 В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора: 10000 (17000) мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода: 50 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером: =>5
• Обратный ток коллектора: <=5000 мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: =>3 МГц
• Коэффициент шума биполярного транзистора: <2.5 дБ
• Тип корпуса: КТ-9

Datasheet по запросу бесплатно.

Резистор