0.00 BYN
Оформить заказПараметры:
- Наименование прибора: 2SK1117
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Время нарастания (tr): 25 ns
- Выходная емкость (Cd): 250 pf
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
- Тип корпуса: TO220
Возможный аналог: FDA28N50F, 2SK2010, IRFIBC40G, 2SK1118
Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.
Отзывов (0)
Нет отзывов о данном товаре.