Транзистор 2SK3102, 600V 10A, тип N, FUJI Electric

Наименование прибора: 2SK3102

• Тип транзистора: MOSFET
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 35 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Время нарастания (tr): 70 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 170 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm
  
• Тип корпуса: TO220PF
  

IGBT транзистор, BMS модуль с балансиром