Транзистор FDS6690A, 30V 11A, N канал МОСФЕТ

Наименование прибора: FDS6690A

• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
  
• Тип корпуса: SO8

Возможные аналоги транзистора полевого FDS6690A: STS11NF30L, TPC8005-H

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Отсек для элементов питания и аккумуляторов, Отсек для аккумуляторов