Транзистор IRF820 500V 2.5A MOSFET N-полярность

Полевой транзистор с N-каналом IRF820 в корпусе TO-220

Параметры:

• Наименование прибора: IRF820
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 24(max) nC
  
• Время нарастания (tr): 8.6 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 92 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
  
• Тип корпуса: TO220AB
  

Возможные аналоги транзистора IRF820:

2SK1494, 2SK1863, 2SK2019-01, BUZ42B, BUZ74, D84CR2, D84EU2, MTP2N50E, MTP3N50E, PHP3N50E, RFP3N45, RFP3N50, SSP1N50A, STP2NA50, STP3NA50, STP4NB50, STP4NK50Z, КП780А, КП820, IRF822

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

КП103Е1, сборка аккумуляторов на заказ