Транзистор КТ503Е, NPN 80V 0.15A TO92

Основные характеристики транзистора КТ503Е:

• Маркировка: КТ503Е
• Тип материала: Si
  
• Полярность: NPN
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
  
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
  
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
• Тип корпуса: ТО92

Возможные аналоги для транзистора КТ503Е:

2N4123, MPS2711, BC337; КТ503Б: 2N4124, BC635; КТ503Г: BC637; КТ503Д: BC546A. КТ503Е: 2SC2240GR, BC639

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

КТ817Г, 2N4123