Транзистор IRFP150N 100V 42A MOSFET N-канал

Параметры:

• Наименование прибора: IRFP150N
• Тип транзистора: MOSFET
  
• Полярность: N
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
  
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
  
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
  
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
  
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
  
• Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
  
• Общий заряд затвора (Qg): 110(max) nC
  
• Время нарастания (tr): 56 ns
  
• Выходная емкость (Cd): 450 pf
  
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.036 Ohm
  
• Тип корпуса: TO247AC
  

Возможные аналоги транзистора IRFP150N: 2SK1381, BUZ344, MTW45N10E, RFG40N10, STW50N10

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

GoPower